Поскольку ток базы транзистора 1Б= 1Э — 1к значительно меньше тока эмиттера, часто применяют схему включения транзистора с общим эмиттером/ При ней ГОКИ коллектора и эмиттера управляются внешним током базы, и нетрудно показать, что 1к=Ь^1в+ =В1в + (В+ 1)1ко I 1С В — статический (т. е. на постоянном токе) коэффициент передачи тока базы (заметим, что он практически равен дифференциальному коэффициенту передачи тока базы р= А1К/А1Б). Каскад с общим эмиттером усиливает ток и напряжение не и потому имеет большее усиление, чем каскад с общей базой, При этом его входное сопротивление примерно в (|Н 1) раз выше входного сопротивления каскада с общей базой и может достигать сотен Ом — единиц кОм. Однако он сильнее искажает сигналы высоких частот, чем каскад с общей базой (частотные свойства каскада с общим эмиттером характеризуются частотой fp = fa/(P+l).
