Подлинный фурор в усилительной технике произвело появление биполярных транзисторов, основанных на ис­пользовании полупроводниковых материалов с разным типом проводимости — электронной n и дырочной р. Эти миниатюрные приборы (размером сейчас со спичечную головку) обладают высоким усилением, лишены нити накала и могут питаться от малых напряжений — вплоть до долей вольта. Благодаря этому они намного надежнее ламп и имеют больший срок службы. Устройство транзистора напоминает многослойный пирог — он состоит из трех полупроводниковых областей. Их обозначают как р—n—р или n —р— n, т. е. база этих транзисторов имеет проводимость, соответственно, n (электронная) и р (дырочная). Не вникая в технологию изготовления транзисторов, отметим лишь, что тип про­водимости достигается легированием полупроводника донорной (для n-области) или акцепторной (для р области) примесью. Рассмотрим, к примеру, n —р—n-транзистор. Области р— n образуют так и называемый р—n переход, или полу­проводниковый диод. Один из p-n-переходов транзисто­ра включается в прямом направлении (напряжения на области n). При этом область n называется эмиттером и инжектирует в область р (базу) электроны. Второй р— n переход включается в обратном направлении (+ напряже­ния на области n). Пройдя тонкую базу, электроны, инжектируемые эмиттером, собираются коллектором, и в его цепи появляется ток, управляемый напряжением на эмиттере. Можно управлять токами коллектора и эмитте­ра, задавая ток базы.