Вскоре после разработки биполярных транзисторов появились полевые транзисторы с управляющим перехо­дом. Их можно представить (условно) в виде тонкой полупроводниковой пластины с расположенным в сере­дине ее управляющим р-n переходом. Толщина области объемного заряда р—n перехода зависит от обратного напряжения на нем. А это приводит к изменению попереч­ною сечения канала — тонкой области полупроводника управляющим р—п переходом. Семейство выходных ВАХ полевых транзисторов этого типа, их входная и передаточная характеристики качественно очень напоминают соответствующие характеристики лампы-пентода. И это не случайно — оба класса приборов используют полевые механизмы управления исходным током. Однако долгое время полевые транзисторы  с управляющим р—n переходом оставались мало­мощными и низковольтными приборами.